韩国存储芯片制造商SK海力士公布的第三季度业绩显示,受全球科技企业持续加大人工智能基础设施投资推动,高带宽存储(HBM)与高规格DRAM产品需求旺盛,带动单季净利润同比大幅增长至12.598万亿韩元,创历史新高,超出市场预期。
公司表示,HBM3E等高端产品出货 brisk,DRAM及企业级固态硬盘价格上升推动盈利回暖。管理层在业绩电话会上指出,HBM及相关存储芯片的订单已基本排至2026年,预计2027年供应仍将紧张。与此同时,公司率先向市场供应12层HBM3E产品,并计划于2025年第四季度启动HBM4出货,2026年实现全面扩量。
